0 0 0
  7. LM5110-1M/NOPB

Драйверы MOSFET/IGBT LM5110-1M/NOPB

 
LM5110-1M/NOPB
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 321420
IC: driver; полумост MOSFET; low-side,контроллер затвора MOSFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
200.58 грн
5+
189.69 грн
7+
160.15 грн
17+
151.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 83 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
3,5...14В DC(1493014)
Выходной ток
-5...3А(1802877)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
25нс(1444009)
Время падения импульса
25нс(1444010)
Кол-во каналов
2(1443907)
Вид упаковки
туба(1443467)
Защита
от снижения напряжения(1600603)
Вид микросхемы
low-side(1605680) контроллер затвора MOSFET(1623576)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,077 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT LM5110-1M/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 321420
IC: driver; полумост MOSFET; low-side,контроллер затвора MOSFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
200.58 грн
5+
189.69 грн
7+
160.15 грн
17+
151.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 83 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
3,5...14В DC
Выходной ток
-5...3А
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
25нс
Время падения импульса
25нс
Кол-во каналов
2
Вид упаковки
туба
Защита
от снижения напряжения
Вид микросхемы
low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора MOSFET
Топология
полумост MOSFET
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,077 g