Драйверы MOSFET/IGBT LM5110-3M/NOPB

 
LM5110-3M/NOPB
 
Артикул: 471226
IC: driver; low-side,контроллер затвора MOSFET; SO8; -5÷3А; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
116.69 грн
3+
105.87 грн
10+
98.14 грн
13+
80.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 61 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
3,5...14В DC(1493014)
Выходной ток
-5...3А(1802877)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
25нс(1444009)
Время падения импульса
25нс(1444010)
Кол-во каналов
2(1443907)
Защита
от снижения напряжения(1600603)
Вид микросхемы
low-side(1605680) контроллер затвора MOSFET(1623576)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,072 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT LM5110-3M/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 471226
IC: driver; low-side,контроллер затвора MOSFET; SO8; -5÷3А; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
116.69 грн
3+
105.87 грн
10+
98.14 грн
13+
80.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 61 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
3,5...14В DC
Выходной ток
-5...3А
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
25нс
Время падения импульса
25нс
Кол-во каналов
2
Защита
от снижения напряжения
Вид микросхемы
low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора MOSFET
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,072 g