Драйверы MOSFET/IGBT SM72295MAX/NOPB

 
SM72295MAX/NOPB
 
Артикул: 855971
IC: driver; Н мост; high-/low-side,контроллер затвора MOSFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
342.13 грн
5+
250.84 грн
12+
237.35 грн
250+
228.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO28(1444462)
Выходное напряжение
160...600мВ(1993053)
Выходной ток
(1443463)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
8нс(1836689)
Время падения импульса
8нс(1837567)
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality(1619534) UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs(1812457)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Защита
от перенапряжения(1499330)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора MOSFET(1623576)
Топология
Н мост(1612556)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT SM72295MAX/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 855971
IC: driver; Н мост; high-/low-side,контроллер затвора MOSFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
342.13 грн
5+
250.84 грн
12+
237.35 грн
250+
228.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO28
Выходное напряжение
160...600мВ
Выходной ток
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
8нс
Время падения импульса
8нс
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Характеристики интегральных схем
UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Защита
от перенапряжения
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора MOSFET
Топология
Н мост
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g