0 0 0
  8. TPS1100D

Транзисторы с каналом P SMD TPS1100D

 
TPS1100D
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622842
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
139.71 грн
5+
125.42 грн
11+
96.84 грн
29+
91.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 73 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-15В(1741669)
Ток стока
-0,72А(1909095)
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
5,45нC(1909096)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
7А(1908856)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,09 g
 
Транзисторы с каналом P SMD TPS1100D
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622842
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
139.71 грн
5+
125.42 грн
11+
96.84 грн
29+
91.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 73 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-15В
Ток стока
-0,72А
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
5,45нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
7А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,09 g