Драйверы MOSFET/IGBT TPS2813DR

 
TPS2813DR
 
Артикул: 855949
IC: driver; контроллер затвора MOSFET; SO8; -2÷2А; 180мВ÷9,9В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
171.46 грн
5+
154.00 грн
9+
125.42 грн
23+
118.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
4...14В DC(1493116)
Выходное напряжение
180мВ...9,9В(1993056)
Выходной ток
-2...2А(1696506)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
35нс(1605693)
Время падения импульса
35нс(1605694)
Кол-во каналов
2(1443907)
Вид выхода
инвертирующий(1722583) неинвертирующий(1722585)
Входное напряжение
8...40В(1502035)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид микросхемы
контроллер затвора MOSFET(1623576)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT TPS2813DR
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 855949
IC: driver; контроллер затвора MOSFET; SO8; -2÷2А; 180мВ÷9,9В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
171.46 грн
5+
154.00 грн
9+
125.42 грн
23+
118.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
4...14В DC
Выходное напряжение
180мВ...9,9В
Выходной ток
-2...2А
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
35нс
Время падения импульса
35нс
Кол-во каналов
2
Вид выхода
инвертирующий
Вид выхода
неинвертирующий
Входное напряжение
8...40В
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид микросхемы
контроллер затвора MOSFET
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g