0 0 0
  7. TPS28225DR

Драйверы MOSFET/IGBT TPS28225DR

 
TPS28225DR
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 856022
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
112.72 грн
5+
101.61 грн
13+
83.35 грн
34+
78.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
4,5...8В DC(1503522)
Выходной ток
6А(1444027)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
10нс(1444020)
Время падения импульса
10нс(1444021)
Кол-во каналов
2(1443907)
Вид выхода
инвертирующий(1722583) неинвертирующий(1722585)
Характеристики интегральных схем
мертвое время(1600602) integrated bootstrap functionality(1619534) UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs(1812457)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Защита
от снижения напряжения(1600603)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора(1617856)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT TPS28225DR
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 856022
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
112.72 грн
5+
101.61 грн
13+
83.35 грн
34+
78.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
4,5...8В DC
Выходной ток
6А
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
10нс
Время падения импульса
10нс
Кол-во каналов
2
Вид выхода
инвертирующий
Вид выхода
неинвертирующий
Характеристики интегральных схем
мертвое время
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Характеристики интегральных схем
UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Защита
от снижения напряжения
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Топология
полумост MOSFET
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g