Драйверы MOSFET/IGBT TPS2832DR

 
TPS2832DR
 
Артикул: 855963
IC: driver; high-/low-side,контроллер затвора; SO8; 3,5А; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
186.63 грн
5+
167.48 грн
8+
133.99 грн
21+
126.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
4,5...15В DC(1492921)
Выходной ток
3,5А(1443635)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
60нс(1444030)
Время падения импульса
60нс(1444031)
Кол-во каналов
2(1443907)
Вид выхода
неинвертирующий(1722585)
Характеристики интегральных схем
low supply current(1493058) мертвое время(1600602) integrated bootstrap functionality(1619534)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора(1617856)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT TPS2832DR
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 855963
IC: driver; high-/low-side,контроллер затвора; SO8; 3,5А; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
186.63 грн
5+
167.48 грн
8+
133.99 грн
21+
126.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
4,5...15В DC
Выходной ток
3,5А
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
60нс
Время падения импульса
60нс
Кол-во каналов
2
Вид выхода
неинвертирующий
Характеристики интегральных схем
low supply current
Характеристики интегральных схем
мертвое время
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g