Драйверы MOSFET/IGBT UCC27210DPRR

 
UCC27210DPRR
 
Артикул: 855977
IC: driver; Н мост,полумост MOSFET; WSON10; 4А; 50÷290мВ; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
135.74 грн
5+
122.25 грн
11+
99.23 грн
28+
94.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...140°C(1820038)
Корпус
WSON10(1502056)
Напряжение питания
8...17В DC(1836686)
Выходное напряжение
50...290мВ(1993057)
Выходной ток
(1443636)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
600нс(1802875)
Время падения импульса
400нс(1993068)
Кол-во каналов
2(1443907)
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality(1619534) active Miller clamp(1711651) UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs(1812457)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора MOSFET(1623576)
Топология
Н мост(1612556) полумост MOSFET(1612559)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT UCC27210DPRR
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 855977
IC: driver; Н мост,полумост MOSFET; WSON10; 4А; 50÷290мВ; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
135.74 грн
5+
122.25 грн
11+
99.23 грн
28+
94.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...140°C
Корпус
WSON10
Напряжение питания
8...17В DC
Выходное напряжение
50...290мВ
Выходной ток
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
600нс
Время падения импульса
400нс
Кол-во каналов
2
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Характеристики интегральных схем
active Miller clamp
Характеристики интегральных схем
UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора MOSFET
Топология
Н мост
Топология
полумост MOSFET
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g