Драйверы MOSFET/IGBT UCC27712D

 
UCC27712D
 
Артикул: 459107
IC: driver; Н мост,полумост MOSFET; SO8; -1,8÷2,8А; Ch: 2; 10÷20ВDC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
140.63 грн
5+
125.53 грн
11+
96.14 грн
29+
91.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 114 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
10...20В DC(1492932)
Выходной ток
-1,8...2,8А(1890264)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
50нс(1605700)
Время падения импульса
30нс(1638386)
Кол-во каналов
2(1443907)
Вид упаковки
туба(1443467)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора(1617856)
Топология
Н мост(1612556) полумост MOSFET(1612559)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,07 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT UCC27712D
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 459107
IC: driver; Н мост,полумост MOSFET; SO8; -1,8÷2,8А; Ch: 2; 10÷20ВDC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
140.63 грн
5+
125.53 грн
11+
96.14 грн
29+
91.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 114 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
10...20В DC
Выходной ток
-1,8...2,8А
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
50нс
Время падения импульса
30нс
Кол-во каналов
2
Вид упаковки
туба
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Топология
Н мост
Топология
полумост MOSFET
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,07 g