0 0 0
  8. XP202A0003MR-G

Транзисторы с каналом P SMD XP202A0003MR-G

 
XP202A0003MR-G
 
TOREX
Артикул: 622802
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.51 грн
25+
47.06 грн
30+
32.77 грн
83+
30.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOREX(435)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-3А(1492259)
Сопротивление в открытом состоянии
76мОм(1628419)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-12А(1801470)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD XP202A0003MR-G
TOREX
Артикул: 622802
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.51 грн
25+
47.06 грн
30+
32.77 грн
83+
30.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOREX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-3А
Сопротивление в открытом состоянии
76мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g