0 0 0
  8. XP221P0501TR-G

Транзисторы с каналом P SMD XP221P0501TR-G

 
XP221P0501TR-G
 
TOREX
Артикул: 622851
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,5А; Idm: -1А; 0,4Вт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.95 грн
30+
4.74 грн
100+
4.20 грн
255+
3.86 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOREX(435)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-0,5А(1645023)
Сопротивление в открытом состоянии
2,7Ом(1441572)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-1А(1908876)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g
 
Транзисторы с каналом P SMD XP221P0501TR-G
TOREX
Артикул: 622851
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,5А; Idm: -1А; 0,4Вт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.95 грн
30+
4.74 грн
100+
4.20 грн
255+
3.86 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOREX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-0,5А
Сопротивление в открытом состоянии
2,7Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g