0 0 0
  8. XP233N0501TR-G

Транзисторы с каналом N SMD XP233N0501TR-G

 
XP233N0501TR-G
 
TOREX
Артикул: 543642
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.04 грн
30+
4.18 грн
100+
3.34 грн
335+
2.89 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 2390 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOREX(435)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,5А(1643334)
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1А(1709878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы с каналом N SMD XP233N0501TR-G
TOREX
Артикул: 543642
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.04 грн
30+
4.18 грн
100+
3.34 грн
335+
2.89 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 2390 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOREX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,5А
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g