0 0 0
  8. XP263N1001TR-G

Транзисторы с каналом N SMD XP263N1001TR-G

 
XP263N1001TR-G
 
TOREX
Артикул: 543647
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.90 грн
25+
9.58 грн
100+
7.57 грн
150+
6.65 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOREX(435)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
1А(1441586)
Сопротивление в открытом состоянии
0,33Ом(1645025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2А(1709875)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD XP263N1001TR-G
TOREX
Артикул: 543647
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.90 грн
25+
9.58 грн
100+
7.57 грн
150+
6.65 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOREX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,33Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g