0 0 0
  8. 2SJ668(TE16L1,NQ)

Транзисторы с каналом P SMD 2SJ668(TE16L1,NQ)

 
2SJ668(TE16L1,NQ)
 
TOSHIBA
Артикул: 140398
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; 20Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
27.45 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-5А(1492225)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
20Вт(1618043)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD 2SJ668(TE16L1,NQ)
TOSHIBA
Артикул: 140398
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; 20Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
27.45 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
20Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
15нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g