0 0 0
  8. 2SK3475(TE12L,F)

Транзисторы с каналом N SMD 2SK3475(TE12L,F)

 
2SK3475(TE12L,F)
 
TOSHIBA
Артикул: 075101
Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; Pвых: 630мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
147.73 грн
5+
132.96 грн
8+
128.29 грн
21+
121.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 105 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Корпус
SOT89(1440883)
Частота
520МГц(1645096)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
1А(1441586)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Усиление
14,9дБ(1711570)
Выходная мощность
630мВт(1711569)
Рассеиваемая мощность
3Вт(1487308)
КПД
45%(1820752)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Электрический монтаж
SMT(1443394)
Вид транзистора
RF(1645036)
Вид канала
обедненный(1536799)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,085 g
 
Транзисторы с каналом N SMD 2SK3475(TE12L,F)
TOSHIBA
Артикул: 075101
Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; Pвых: 630мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
147.73 грн
5+
132.96 грн
8+
128.29 грн
21+
121.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 105 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Корпус
SOT89
Частота
520МГц
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
1А
Тип транзистора
N-MOSFET
Усиление
14,9дБ
Выходная мощность
630мВт
Рассеиваемая мощность
3Вт
КПД
45%
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Электрический монтаж
SMT
Вид транзистора
RF
Вид канала
обедненный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,085 g