0 0 0
  8. 2SK3566(STA4,Q,M)

Транзисторы с каналом N THT 2SK3566(STA4,Q,M)

 
2SK3566(STA4,Q,M)
 
TOSHIBA
Артикул: 077826
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 2,5А; 40Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
87.56 грн
3+
79.81 грн
10+
70.51 грн
16+
61.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 306 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
2,5А(1441399)
Сопротивление в открытом состоянии
5,6Ом(1699008)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
40Вт(1628442)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,623 g
 
Транзисторы с каналом N THT 2SK3566(STA4,Q,M)
TOSHIBA
Артикул: 077826
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 2,5А; 40Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
87.56 грн
3+
79.81 грн
10+
70.51 грн
16+
61.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 306 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
2,5А
Сопротивление в открытом состоянии
5,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
40Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
12нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,623 g