0 0 0
  8. GT40QR21(STA1,E,D

Транзисторы IGBT THT GT40QR21(STA1,E,D

 
GT40QR21(STA1,E,D
 
TOSHIBA
Артикул: 627468
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
268.18 грн
5+
241.13 грн
6+
184.71 грн
15+
174.66 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 489 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±25В(1628598)
Ток коллектора
35А(1500592)
Ток коллектора в импульсе
80А(1441679)
Время включения
0,3мкс(1524286)
Время выключения
0,6мкс(1587345)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
230Вт(1701908)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,905 g
 
Транзисторы IGBT THT GT40QR21(STA1,E,D
TOSHIBA
Артикул: 627468
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
268.18 грн
5+
241.13 грн
6+
184.71 грн
15+
174.66 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 489 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±25В
Ток коллектора
35А
Ток коллектора в импульсе
80А
Время включения
0,3мкс
Время выключения
0,6мкс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
230Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,905 g