0 0 0
  8. GT40WR21,Q(O

Транзисторы IGBT THT GT40WR21,Q(O

 
GT40WR21,Q(O
 
TOSHIBA
Артикул: 627465
Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
915.82 грн
2+
694.02 грн
4+
656.15 грн
100+
651.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 90 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,8кВ(1776562)
Напряжение затвор - эмиттер
±25В(1628598)
Ток коллектора
40А(1440987)
Ток коллектора в импульсе
80А(1441679)
Время включения
950нс(1931994)
Время выключения
570нс(1606141)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,995 g
 
Транзисторы IGBT THT GT40WR21,Q(O
TOSHIBA
Артикул: 627465
Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
915.82 грн
2+
694.02 грн
4+
656.15 грн
100+
651.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 90 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напряжение коллектор-эмиттер
1,8кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±25В
Ток коллектора
40А
Ток коллектора в импульсе
80А
Время включения
950нс
Время выключения
570нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
375Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,995 g