0 0 0
  8. GT50JR22(STA1,E,S)

Транзисторы IGBT THT GT50JR22(STA1,E,S)

 
GT50JR22(STA1,E,S)
 
TOSHIBA
Артикул: 220721
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
359.15 грн
3+
322.70 грн
4+
248.23 грн
11+
235.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 272 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±25В(1628598)
Ток коллектора
44А(1707683)
Ток коллектора в импульсе
100А(1441718)
Время включения
250нс(1444769)
Время выключения
330нс(1711183)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
115Вт(1702082)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,91 g
 
Транзисторы IGBT THT GT50JR22(STA1,E,S)
TOSHIBA
Артикул: 220721
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
359.15 грн
3+
322.70 грн
4+
248.23 грн
11+
235.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 272 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±25В
Ток коллектора
44А
Ток коллектора в импульсе
100А
Время включения
250нс
Время выключения
330нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
115Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,91 g