0 0 0
  8. SSM3J327R,LF(B

Транзисторы с каналом P SMD SSM3J327R,LF(B

 
SSM3J327R,LF(B
 
TOSHIBA
Артикул: 140966
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,9А; 1Вт; SOT23F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.66 грн
25+
6.45 грн
100+
5.68 грн
200+
4.97 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23F(1622345)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3,9А(1492318)
Сопротивление в открытом состоянии
0,24Ом(1492482)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
4,6нC(1609769)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SSM3J327R,LF(B
TOSHIBA
Артикул: 140966
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,9А; 1Вт; SOT23F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.66 грн
25+
6.45 грн
100+
5.68 грн
200+
4.97 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23F
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3,9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,24Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
4,6нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g