0 0 0
  8. SSM3J328R,LF(T

Транзисторы с каналом P SMD SSM3J328R,LF(T

 
SSM3J328R,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 140967
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1Вт; SOT23F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.04 грн
25+
8.40 грн
100+
7.47 грн
145+
6.69 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3635 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23F(1622345)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-6А(1492315)
Сопротивление в открытом состоянии
88,4мОм(1744082)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
12,8нC(1609892)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SSM3J328R,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 140967
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1Вт; SOT23F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.04 грн
25+
8.40 грн
100+
7.47 грн
145+
6.69 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3635 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23F
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-6А
Сопротивление в открытом состоянии
88,4мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
12,8нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g