0 0 0
  8. SSM3J331R,LF

Транзисторы с каналом P SMD SSM3J331R,LF

 
SSM3J331R,LF
 
TOSHIBA
Артикул: 424239
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.01 грн
25+
8.68 грн
100+
7.67 грн
140+
7.13 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2805 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23F(1622345)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-4А(1492238)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-10А(1788019)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SSM3J331R,LF
TOSHIBA
Артикул: 424239
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.01 грн
25+
8.68 грн
100+
7.67 грн
140+
7.13 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2805 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23F
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g