0 0 0
  8. SSM3J332R,LF(T

Транзисторы с каналом P SMD SSM3J332R,LF(T

 
SSM3J332R,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 140968
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 1Вт; SOT23F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.60 грн
25+
7.78 грн
100+
6.92 грн
165+
5.99 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 205 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23F(1622345)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-6А(1492315)
Сопротивление в открытом состоянии
144мОм(1711575)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
8,2нC(1610008)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SSM3J332R,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 140968
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 1Вт; SOT23F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.60 грн
25+
7.78 грн
100+
6.92 грн
165+
5.99 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 205 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23F
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-6А
Сопротивление в открытом состоянии
144мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
8,2нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g