0 0 0
  8. SSM3J334R,LF(T

Транзисторы с каналом P SMD SSM3J334R,LF(T

 
SSM3J334R,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 140969
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1Вт; SOT23F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.04 грн
25+
9.18 грн
100+
8.08 грн
130+
7.54 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2330 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23F(1622345)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-4А(1492238)
Сопротивление в открытом состоянии
136мОм(1636392)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
5,9нC(1633315)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SSM3J334R,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 140969
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1Вт; SOT23F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.04 грн
25+
9.18 грн
100+
8.08 грн
130+
7.54 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2330 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23F
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-4А
Сопротивление в открытом состоянии
136мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
5,9нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g