0 0 0
  8. SSM3J355R,LF(T

Транзисторы с каналом P SMD SSM3J355R,LF(T

 
SSM3J355R,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 424240
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: 24А; 2Вт; SOT23F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.01 грн
25+
9.46 грн
100+
8.29 грн
135+
7.21 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23F(1622345)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-6А(1492315)
Сопротивление в открытом состоянии
52,3мОм(1799519)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
24А(1759122)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,05 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SSM3J355R,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 424240
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: 24А; 2Вт; SOT23F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.01 грн
25+
9.46 грн
100+
8.29 грн
135+
7.21 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23F
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-6А
Сопротивление в открытом состоянии
52,3мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
24А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,05 g