0 0 0
  8. SSM3K7002KFU,LF(T

Транзисторы с каналом N SMD SSM3K7002KFU,LF(T

 
SSM3K7002KFU,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 077449
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,4А; 150мВт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.75 грн
50+
4.30 грн
250+
3.88 грн
310+
3.11 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 38225 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,4А(1702147)
Сопротивление в открытом состоянии
1,75Ом(1744086)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,39нC(1744087)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SSM3K7002KFU,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 077449
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,4А; 150мВт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.75 грн
50+
4.30 грн
250+
3.88 грн
310+
3.11 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 38225 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,4А
Сопротивление в открытом состоянии
1,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
0,39нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g