0 0 0
  8. SSM6J501NU,LF

Транзисторы с каналом P SMD SSM6J501NU,LF

 
SSM6J501NU,LF
 
TOSHIBA
Артикул: 140971
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -30А; 1Вт; uDFN6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
23.26 грн
25+
20.93 грн
61+
15.99 грн
167+
15.12 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
uDFN6(1707125)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-10А(1479026)
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм(1479149)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
29,9нC(1707126)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-30А(1811033)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SSM6J501NU,LF
TOSHIBA
Артикул: 140971
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -30А; 1Вт; uDFN6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
23.26 грн
25+
20.93 грн
61+
15.99 грн
167+
15.12 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
uDFN6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-10А
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
29,9нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g