0 0 0
  8. SSM6J502NU,LF(T

Транзисторы с каналом P SMD SSM6J502NU,LF(T

 
SSM6J502NU,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 140972
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1Вт; uDFN6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
18.84 грн
25+
14.34 грн
88+
11.09 грн
240+
10.47 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
uDFN6(1707125)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-6А(1492315)
Сопротивление в открытом состоянии
60,5мОм(1711578)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
24,8нC(1711579)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SSM6J502NU,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 140972
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1Вт; uDFN6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
18.84 грн
25+
14.34 грн
88+
11.09 грн
240+
10.47 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
uDFN6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-6А
Сопротивление в открытом состоянии
60,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
24,8нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g