0 0 0
  8. SSM6J511NU,LF(T

Транзисторы с каналом P SMD SSM6J511NU,LF(T

 
SSM6J511NU,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 140974
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 1,25Вт; uDFN6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.15 грн
25+
14.88 грн
86+
11.39 грн
235+
10.77 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
uDFN6(1707125)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-14А(1478996)
Сопротивление в открытом состоянии
19,2мОм(1744089)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
47нC(1610022)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SSM6J511NU,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 140974
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 1,25Вт; uDFN6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.15 грн
25+
14.88 грн
86+
11.39 грн
235+
10.77 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
uDFN6
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-14А
Сопротивление в открытом состоянии
19,2мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
47нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g