0 0 0
  8. SSM6K403TU,LF(T

Транзисторы с каналом N SMD SSM6K403TU,LF(T

 
SSM6K403TU,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 077453
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,2А; 0,5Вт; UF6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
23.31 грн
25+
15.85 грн
80+
12.13 грн
219+
11.47 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 281 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
UF6(1698709)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
4,2А(1479136)
Сопротивление в открытом состоянии
66мОм(1596074)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
16,8нC(1707127)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SSM6K403TU,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 077453
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,2А; 0,5Вт; UF6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
23.31 грн
25+
15.85 грн
80+
12.13 грн
219+
11.47 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 281 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
UF6
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
4,2А
Сопротивление в открытом состоянии
66мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
16,8нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g