0 0 0
  8. SSM6K504NU,LF(T

Транзисторы с каналом N SMD SSM6K504NU,LF(T

 
SSM6K504NU,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 824892
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 1,25Вт; uDFN6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.94 грн
25+
9.92 грн
100+
8.99 грн
115+
8.68 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 1684 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
uDFN6(1707125)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
9А(1441543)
Сопротивление в открытом состоянии
26мОм(1479163)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
4,8нC(1479318)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
18А(1741667)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SSM6K504NU,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 824892
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 1,25Вт; uDFN6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.94 грн
25+
9.92 грн
100+
8.99 грн
115+
8.68 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 1684 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
uDFN6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
9А
Сопротивление в открытом состоянии
26мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
4,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g