0 0 0
  7. SSM6L12TU,LF(T

Транзисторы многоканальные SSM6L12TU,LF(T

 
SSM6L12TU,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 424186
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 0,5/-0,5А; Idm: 1,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
18.76 грн
25+
13.67 грн
92+
10.50 грн
251+
9.88 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
UF6(1698709)
Напряжение сток-исток
30/-20В(1643508)
Ток стока
0,5/-0,5А(1795153)
Сопротивление в открытом состоянии
180/430мОм(1795154)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,5А(1709863)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,007 g
 
Транзисторы многоканальные SSM6L12TU,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 424186
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 0,5/-0,5А; Idm: 1,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
18.76 грн
25+
13.67 грн
92+
10.50 грн
251+
9.88 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
UF6
Напряжение сток-исток
30/-20В
Ток стока
0,5/-0,5А
Сопротивление в открытом состоянии
180/430мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,007 g