0 0 0
  7. SSM6N35FE,LM(T

Транзисторы многоканальные SSM6N35FE,LM(T

 
SSM6N35FE,LM(T
 
TOSHIBA
Артикул: 000331
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,18А; 150мВт; SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.04 грн
25+
6.92 грн
100+
6.14 грн
185+
5.29 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,18А(1645013)
Сопротивление в открытом состоянии
20Ом(1459375)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SSM6N35FE,LM(T
TOSHIBA
Артикул: 000331
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,18А; 150мВт; SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.04 грн
25+
6.92 грн
100+
6.14 грн
185+
5.29 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,18А
Сопротивление в открытом состоянии
20Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g