0 0 0
  8. TK65S04K3L(T6L1,NQ

Транзисторы с каналом N SMD TK65S04K3L(T6L1,NQ

 
TK65S04K3L(T6L1,NQ
 
TOSHIBA
Артикул: 077604
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 65А; 88Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
72.84 грн
5+
65.87 грн
20+
50.37 грн
53+
47.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
65А(1441313)
Сопротивление в открытом состоянии
4,5мОм(1479259)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
88Вт(1741738)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
63нC(1479469)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD TK65S04K3L(T6L1,NQ
TOSHIBA
Артикул: 077604
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 65А; 88Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
72.84 грн
5+
65.87 грн
20+
50.37 грн
53+
47.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
65А
Сопротивление в открытом состоянии
4,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
88Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
63нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g