0 0 0
  8. 2N7002E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD 2N7002E-T1-GE3

 
2N7002E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959598
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,3А; 0,22Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
28.03 грн
10+
23.90 грн
25+
16.97 грн
100+
9.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,24А(1717563)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,22Вт(1742027)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,6нC(1639540)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,3А(1811003)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g
 
Транзисторы с каналом N SMD 2N7002E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959598
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,3А; 0,22Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
28.03 грн
10+
23.90 грн
25+
16.97 грн
100+
9.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,24А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,22Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,3А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g