0 0 0
  8. IRFBE30LPBF

Транзисторы с каналом N THT IRFBE30LPBF

 
IRFBE30LPBF
 
VISHAY
Артикул: 853980
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,1А; Idm: 16А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
151.53 грн
9+
110.86 грн
25+
104.48 грн
1000+
100.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO262(1478942) I2PAK(1600260)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
4,1А(1441393)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
78нC(1609951)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT IRFBE30LPBF
VISHAY
Артикул: 853980
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,1А; Idm: 16А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
151.53 грн
9+
110.86 грн
25+
104.48 грн
1000+
100.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO262
Корпус
I2PAK
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
4,1А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
78нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g