Транзисторы с каналом N THT IRFD113PBF

 
IRFD113PBF
 
Артикул: 853984
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 800мА; Idm: 6,4А; 1Вт; HVMDIP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.82 грн
5+
35.25 грн
25+
31.10 грн
35+
28.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
HVMDIP(1737418)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,8А(1635013)
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
7нC(1479104)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6,4А(1942255)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,3 g
 
Транзисторы с каналом N THT IRFD113PBF
VISHAY
Артикул: 853984
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 800мА; Idm: 6,4А; 1Вт; HVMDIP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.82 грн
5+
35.25 грн
25+
31.10 грн
35+
28.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
HVMDIP
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,3 g