0 0 0
  8. IRFD210PBF

Транзисторы с каналом N THT IRFD210PBF

 
IRFD210PBF
 
VISHAY
Артикул: 078789
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,38А; 1Вт; DIP4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.20 грн
5+
35.60 грн
25+
31.92 грн
40+
25.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 342 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
DIP4(1444643)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
0,38А(1643333)
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом(1441464)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
8,2нC(1610008)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,31 g
 
Транзисторы с каналом N THT IRFD210PBF
VISHAY
Артикул: 078789
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,38А; 1Вт; DIP4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.20 грн
5+
35.60 грн
25+
31.92 грн
40+
25.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 342 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
DIP4
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
0,38А
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
8,2нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,31 g