Транзисторы с каналом N SMD IRFL110TRPBF

 
IRFL110TRPBF
 
Артикул: 405677
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,96А; Idm: 12А; 3,1Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
26.88 грн
25+
24.17 грн
55+
18.34 грн
150+
17.31 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2114 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
0,96А(1635015)
Сопротивление в открытом состоянии
0,54Ом(1635011)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
3,1Вт(1449545)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,3нC(1479225)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,196 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRFL110TRPBF
VISHAY
Артикул: 405677
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,96А; Idm: 12А; 3,1Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
26.88 грн
25+
24.17 грн
55+
18.34 грн
150+
17.31 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2114 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
0,96А
Сопротивление в открытом состоянии
0,54Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,3нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,196 g