Обратное напряжение макс.
434В(1615226)
Конструкция диода
однонаправленный(1440398)
Импульсный ток
860мА(1538328)
Напряжение пробоя
510В(1501399)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated(1617588)
Технология
TransZorb®(1667446)
Peak pulse power dissipation
0,6кВт(1912991)