Обратное напряжение макс.
459В(1615230)
Конструкция диода
однонаправленный(1440398)
Импульсный ток
810мА(1501524)
Напряжение пробоя
540В(1501403)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated(1617588)
Технология
TransZorb®(1667446)
Peak pulse power dissipation
0,6кВт(1912991)