0 0 0
  8. SI1013R-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI1013R-T1-GE3

 
SI1013R-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140896
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
27.12 грн
25+
24.64 грн
52+
18.83 грн
141+
17.81 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC75A(1492398)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-0,275А(1733901)
Сопротивление в открытом состоянии
2,7Ом(1441572)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
80мВт(1512443)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,5нC(1632943)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI1013R-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140896
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
27.12 грн
25+
24.64 грн
52+
18.83 грн
141+
17.81 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC75A
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-0,275А
Сопротивление в открытом состоянии
2,7Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
80мВт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
1,5нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g