0 0 0
  8. SI1022R-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI1022R-T1-GE3

 
SI1022R-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077367
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; 0,13Вт; SC75A
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.25 грн
25+
20.16 грн
63+
15.43 грн
172+
14.57 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 3011 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC75A(1492398)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,24А(1717563)
Сопротивление в открытом состоянии
1,25Ом(1441390)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,13Вт(1741775)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,6нC(1639540)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI1022R-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077367
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; 0,13Вт; SC75A
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.25 грн
25+
20.16 грн
63+
15.43 грн
172+
14.57 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 3011 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC75A
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,24А
Сопротивление в открытом состоянии
1,25Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,13Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
0,6нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g