0 0 0
  7. SI1026X-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SI1026X-T1-GE3

 
SI1026X-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 000308
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
18.80 грн
25+
16.94 грн
75+
12.90 грн
210+
12.20 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494) SC89(1492549)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,22А(1632940)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,13Вт(1741775)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,6нC(1639540)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SI1026X-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 000308
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
18.80 грн
25+
16.94 грн
75+
12.90 грн
210+
12.20 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Корпус
SC89
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,22А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,13Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,6нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g