0 0 0
  7. SI1029X-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SI1029X-T1-GE3

 
SI1029X-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 965175
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
35.72 грн
50+
25.24 грн
93+
10.87 грн
255+
10.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494) SC89(1492549)
Напряжение сток-исток
60/-60В(1596127)
Ток стока
0,22/-0,135А(1811172)
Сопротивление в открытом состоянии
3/8Ом(1811018)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,13Вт(1741775)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,75/1,7нC(1811019)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,65А(1811171)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SI1029X-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 965175
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
35.72 грн
50+
25.24 грн
93+
10.87 грн
255+
10.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Корпус
SC89
Напряжение сток-исток
60/-60В
Ток стока
0,22/-0,135А
Сопротивление в открытом состоянии
3/8Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,13Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,75/1,7нC
Технология
TrenchFET®
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,65А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g