0 0 0
  7. SI1036X-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SI1036X-T1-GE3

 
SI1036X-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853769
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.91 грн
10+
22.17 грн
100+
13.32 грн
141+
6.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2527 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494) SC89(1492549)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
610мА(1985949)
Сопротивление в открытом состоянии
1,1Ом(1441389)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,22Вт(1742027)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2нC(1609793)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2А(1709875)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы многоканальные SI1036X-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853769
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.91 грн
10+
22.17 грн
100+
13.32 грн
141+
6.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2527 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Корпус
SC89
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
610мА
Сопротивление в открытом состоянии
1,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,22Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g