0 0 0
  8. SI1077X-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI1077X-T1-GE3

 
SI1077X-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853294
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.08 грн
10+
20.32 грн
25+
18.49 грн
100+
12.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC89(1492549)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-1,75А(1492323)
Сопротивление в открытом состоянии
188мОм(1805247)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,33Вт(1742046)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
31,1нC(1609986)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-8А(1741671)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI1077X-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853294
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.08 грн
10+
20.32 грн
25+
18.49 грн
100+
12.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC89
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-1,75А
Сопротивление в открытом состоянии
188мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
31,1нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g