0 0 0
  8. SI1308EDL-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI1308EDL-T1-GE3

 
SI1308EDL-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405696
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.29 грн
25+
14.77 грн
90+
11.27 грн
247+
10.64 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2696 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
1,4А(1492328)
Сопротивление в открытом состоянии
132мОм(1808514)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
4,1нC(1633292)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6А(1790199)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI1308EDL-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405696
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.29 грн
25+
14.77 грн
90+
11.27 грн
247+
10.64 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2696 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
1,4А
Сопротивление в открытом состоянии
132мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
4,1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g