0 0 0
  8. SI1317DL-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI1317DL-T1-GE3

 
SI1317DL-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 952523
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
32.58 грн
10+
23.68 грн
25+
14.78 грн
99+
10.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2940 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-1,4А(1811148)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,5нC(1619508)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-6А(1810531)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI1317DL-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 952523
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
32.58 грн
10+
23.68 грн
25+
14.78 грн
99+
10.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2940 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-1,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g