0 0 0
  8. SI1330EDL-T1-E3

Транзисторы с каналом N SMD SI1330EDL-T1-E3

 
SI1330EDL-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 077369
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,19А; 0,18Вт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.67 грн
5+
27.39 грн
25+
24.16 грн
44+
22.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,19А(1702146)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,18Вт(1741777)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,4нC(1632941)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI1330EDL-T1-E3
VISHAY
Артикул: 077369
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,19А; 0,18Вт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.67 грн
5+
27.39 грн
25+
24.16 грн
44+
22.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,19А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,18Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
0,4нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g